化合物半導體展暨2025中國國際半導體博覽會(huì )將于2025年11月在北京亦創(chuàng )國際會(huì )展中心以“化合物半導體”作為核心單元，與綜合性半導體博覽會(huì )同址同期舉行。本屆展會(huì )為期三天，面向產(chǎn)業(yè)鏈全環(huán)節，聚焦砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、金剛石（Diamond）、氧化鎵（Ga?O?）六大材料體系及其在航空航天、石油勘探、寬帶通訊、汽車(chē)制造、智能電網(wǎng)等關(guān)鍵場(chǎng)景的應用驗證與商業(yè)化路徑。

一、定位與結構

主辦方將展館劃分為“材料-晶圓-器件-模組-系統”五級遞進(jìn)式展區，真實(shí)還原一條化合物半導體從晶體生長(cháng)到終端集成的完整技術(shù)鏈。每個(gè)展區設置“性能-環(huán)境-壽命”三軸測試島，可現場(chǎng)完成-55 ℃~+300 ℃溫循、10 kV浪涌、101? cm?3中子輻照等極端工況演示。

二、核心展示內容

材料端

砷化鎵：8英寸VB/VGF雙工藝晶圓同臺對比，位錯密度8 MV/cm數據現場(chǎng)復測驗證。

器件與模組端

航空航天：磷化銦基94 GHz T/R組件MTBF>100 000 h報告現場(chǎng)簽字發(fā)布。

石油勘探：碳化硅MOSFET+SiC SBD智能功率模塊耐溫225 ℃，連續運行1000 h無(wú)漂移。

寬帶通訊：氮化鎵毫米波功放模組，飽和功率65 dBm，線(xiàn)性增益25 dB，面向D-band回傳。

汽車(chē)制造：全碳化硅電驅逆變器功率密度50 kW/L，效率峰值99.2%，已通過(guò)AEC-Q101 Grade 0認證。

智能電網(wǎng)：氧化鎵橫向功率器件，擊穿電壓>3 kV，導通電阻480家（其中材料企業(yè)28%、晶圓廠(chǎng)12%、IDM/Fabless 25%、設備與檢測20%、應用系統15%）

觀(guān)眾：預登記>25 000人，國際觀(guān)眾占比11%

技術(shù)報告：>120場(chǎng)